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Beitragsrückblick für Noch mal das selbe (die neuesten Beiträge zuerst)
Beomaster Erstellt: 21:44 am 2. Feb. 2005
ach, und wegen der Belichtung, man ist schon bei den Problemen, belichtet wird nach meiner Kenntnis z.Zt. mit Excimer Lasern (oder wie auch immer man die schreibt) mit 248nm, das is schon weit im UV Bereich (ab etwa 390nm)
Beomaster Erstellt: 21:41 am 2. Feb. 2005
Größe? Rein Theoretisch könnte man nen Transistor aus 3 Atomen aufbauen
das wäre dann die 0,1nm Technologie
jedoch bestehen die 3 Teile des Transistors aus Unterschiedlich dotierten Silizium, so das es schon mehr als nur 1 Atom pro Schicht bedarf...
wenn ich mir einen aktuellen Transistor der 90nm Technologie als Quader in 3 Würfelförmigen Teilen mit je 90nm x 90nm x 90nm Vorstelle  besteht ein Teil aus 729.000.000 Atomen oder 7,29x10^8
Über das dotierne hab ich Unterschiedliche Angaben gefunden, mal geht man davon aus das jedes 10Milliardste Atom ein Fremdatom ist, dann aber wieder jedes 100.000. te Atom
wenn ich letzteres annehme müsste also ein Teil des Transostors aus je 100.000 Atomen bestehen, der Würfel wäre dann etwa 46 Atome lang, hoch und breit, also sagen wir mal 4,6nm...
dergeert Erstellt: 21:26 am 2. Feb. 2005
eine wichtige sache fehlt noch:

die lichtwellenlänge die zur belichtung der strukturen durch entsprechende masken genutzt wird entscheidet darüber wie klein die strukturen (=wie hoch integriert) werden können.

daher muß man bald weg vom sichtbaren und uv-licht zu euv (extrem ultraviolett), was dann aber auch wieder physikalische probleme aufwirft, da man zum beispiel nur noch schwer materialien für die nötige optik (linsen...) findet, die für dieses licht durchlässig sind bzw. es brechen können.
AssassinWarlord Erstellt: 21:23 am 2. Feb. 2005
wollte man den die CPUs nicht mal Organisch bauen :noidea:
KCone Erstellt: 21:18 am 2. Feb. 2005
jo danke das ihr so fleißig gepostet habt.

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Fahnder der Stille Erstellt: 15:11 am 2. Feb. 2005
OK, verstanden,
sorry dann dafür.

bin ja schon weg...:wusch:

(Geändert von Fahnder der Stille um 15:13 am Feb. 2, 2005)
AlexW Erstellt: 15:08 am 2. Feb. 2005
jaaaa doch.... aber für den laien isset datt gleiche wie Krichströme

unter uns Elektronikern ebend nicht :blubb:

kannst ja nitt davon ausgehen das hier jeder weiss was plattenkondesatoren sind...:blubb: bzw. das das bei den geringen strömen auch auftreten kann :blubb:

Fahnder der Stille Erstellt: 15:07 am 2. Feb. 2005
ja, ist zwar net ganz korrekt aber wir lassen es mal gelten.:lol:


*klugsch**** ein*
Urasache kurz erkärt:
widerstandsbahnen die eng nebeneinander liegen und über denen eine hohe frequenz läuft verhalten sich wie Platten- Kondensatoren im Wecheselfeld, d.h.  es fließen Ströme (parasitäre Ströme) zwischen den Leiterbahnen.
*klugsch**** aus*

AlexW Erstellt: 14:56 am 2. Feb. 2005
...krichströme...

warum einfach wenns auch kompliziert geht:lol:
Fahnder der Stille Erstellt: 14:52 am 2. Feb. 2005
parasitäre Kapazitäten spielen zudem eine Rolle, je enger die Strombahnen   nebeneinander liegen desto größer sind diese und desto höher ist die Fehlerrate,
wodurch zudem die taktrate (Frequenz) beschränkt wird..

je höher die taktrate  desto größer der auftretende Skinneffekt ----> höherer widerstand in den Bahnen


(Geändert von Fahnder der Stille um 14:58 am Feb. 2, 2005)


(Geändert von Fahnder der Stille um 14:59 am Feb. 2, 2005)
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